ظهرت أنواع عديدة من الذاكرة لأجهزة الحوسبة في السنوات الأخيرة، بهدف التغلب على القيود التي تفرضها ذاكرة الوصول العشوائي التقليدية (RAM). تعد ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة للمغناطيسية (MRAM) أحد أنواع الذاكرة التي توفر العديد من المزايا مقارنة بذاكرة الوصول العشوائي التقليدية، بما في ذلك عدم التطاير والسرعة العالية وزيادة سعة التخزين والقدرة على التحمل. على الرغم من التحسينات الملحوظة التي تم إدخالها على أجهزة MRAM، إلا أن تقليل استهلاك الطاقة أثناء كتابة البيانات يظل تحديًا كبيرًا.
دراسة نشرت مؤخرا في العلوم المتقدمة يقترح باحثون من جامعة أوساكا تقنية جديدة لأجهزة MRAM مع كتابة بيانات منخفضة الطاقة. تتيح التكنولوجيا المقترحة مخططًا للكتابة يعتمد على المجال الكهربائي مع انخفاض استهلاك الطاقة مقارنة بالنهج الحالي القائم على التيار، مما قد يوفر بديلاً لذاكرة الوصول العشوائي التقليدية.
تحتوي أجهزة ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية التقليدية (DRAM) على وحدات تخزين أساسية تتكون من الترانزستورات والمكثفات. ومع ذلك، فإن البيانات المخزنة متقلبة، …
